Transistor de canal N RFD3055LESM, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 12A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 850pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 170pF. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Función: control de nivel lógico, protección ESD. Marcado en la caja: F3055L. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Protección G-S: diodo. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Harris. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30