Transistor de canal N RFP12N10L, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 900pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 325pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Función: transistor MOSFET. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 30A. Marcado en la caja: F12N10L. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+155°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30