Transistor de canal N RFP50N06, TO-220, 60V, 50A, 50A, 50uA, 0.022 Ohms, TO-220AB, 60V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.022 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2020pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2020pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 600pF. Diodo Trr (Mín.): 125 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 131W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 50A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: MegaFET. IDss (mín.): 1uA. Marcado del fabricante: RFP50N06. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 131W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 37 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 37 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30