Transistor de canal N RFP70N06, TO-220, 60V, 52A, 70A, 25uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 52A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2250pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2250pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 792pF. Diodo Trr (Mín.): 52 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 70A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. IDss (mín.): 1uA. Marcado del fabricante: RFP70N06. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 32 ns. RoHS: sí. Spec info: Modelo PSPICE® con temperatura compensada. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30