transistor de canal N RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V

transistor de canal N RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V

Cantidad
Precio unitario
1-4
15.62€
5-9
14.74€
10-24
12.84€
25+
11.81€
Cantidad en inventario: 23

Transistor de canal N RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PSG. Tensión colector/emisor Vceo: 330V. Corriente del colector: 35A. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Diodo de germanio: -. Ic (pulso): 250A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Spec info: trr 0.06us. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 20 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Renesas Technology. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35

Documentación técnica (PDF)
RJH3077DPK
21 parámetros
Vivienda
TO-3PN ( 2-16C1B )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3PSG
Tensión colector/emisor Vceo
330V
Corriente del colector
35A
Diodo CE
Diodo Trr (Mín.)
23 ns
Ic (pulso)
250A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
60W
RoHS
Spec info
trr 0.06us
Td(apagado)
60 ns
Td(encendido)
20 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1.5V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
2.5V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
5V
Tensión puerta/emisor VGE
30 v
Tipo de canal
N
Producto original del fabricante
Renesas Technology