transistor de canal N RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V
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Transistor de canal N RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensión colector/emisor Vceo: 360V. C(pulg): 85pF. Corriente del colector: 30A. Costo): 40pF. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Función: IGBT. Ic (pulso): 250A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 40 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Renesas Technology. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 10:40