transistor de canal N RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V

transistor de canal N RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V

Cantidad
Precio unitario
1-2
6.45€
3-5
5.87€
6-11
5.46€
12-24
5.14€
25+
4.63€
Cantidad en inventario: 6

Transistor de canal N RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensión colector/emisor Vceo: 360V. C(pulg): 85pF. Corriente del colector: 30A. Costo): 40pF. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Función: IGBT. Ic (pulso): 250A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 40 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Renesas Technology. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 10:40

Documentación técnica (PDF)
RJP30E4
24 parámetros
Vivienda
D2PAK ( TO-263 )
Vivienda (según ficha técnica)
D2PAK ( TO-263 )
Tensión colector/emisor Vceo
360V
C(pulg)
85pF
Corriente del colector
30A
Costo)
40pF
Diodo CE
no
Diodo de germanio
no
Función
IGBT
Ic (pulso)
250A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
30W
RoHS
Spec info
150ns, 30W, 40A
Td(apagado)
90 ns
Td(encendido)
40 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1.6V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
2.5V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
5V
Tensión puerta/emisor VGE
30 v
Tipo de canal
N
Producto original del fabricante
Renesas Technology