Transistor de canal N RSS100N03, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0125 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Tecnología: MOSFET de canal N de unidad de 4 V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: ROHM. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30