transistor de canal N SI2308BDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, 60V
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Transistor de canal N SI2308BDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, 60V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 190pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.66W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 2.3A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: L8. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6 ns. Producto original del fabricante: Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:45