Transistor de canal N SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 17m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 12V. C(pulg): 12350pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 2775pF. Diodo Trr (Mín.): 84 ns. Función: Power MOSFET. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 70A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 7.8W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(apagado): 240 ns. Td(encendido): 38 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30