Transistor de canal N SI4532ADY-T1-E3, SO8, MS-012, 30V/-30V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 500pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.13W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 3.7A/-3A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marcado del fabricante: SI4532ADY-T1-E3. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23/21 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns/8 ns. Producto original del fabricante: Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:45