Transistor de canal N SI4532CDY-T1-GE3, SO8, 30V/-30V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 305/340pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.14W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 5.2A/-3.4A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marcado del fabricante: SI4532CDY-T1-E3. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25/30 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns/10 ns. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24