Transistor de canal N SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. DI (T=100°C): 9.9A. DI (T=25°C): 12.4A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0074 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 2000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 260pF. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 50A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30