Transistor de canal N SI4946EY-T1-E3, SO8, MS-012, 60V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1000pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2.4W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 4.5A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: SI4946EY-T1-E3. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 60 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Producto original del fabricante: Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22