transistor de canal N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v

transistor de canal N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.03€
5-49
1.68€
50-99
1.50€
100+
1.32€
Cantidad en inventario: 89

Transistor de canal N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0075 Ohms. Vivienda: PowerPAK SO-8. Vivienda (según ficha técnica): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 985pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 205pF. Diodo Trr (Mín.): 14 ns. Función: Interruptor del lado alto. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 50A. Marcado en la caja: 196k Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 29.8W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30

Documentación técnica (PDF)
SIR474DP
30 parámetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
15A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.0075 Ohms
Vivienda
PowerPAK SO-8
Vivienda (según ficha técnica)
PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
985pF
Cantidad por caja
1
Costo)
205pF
Diodo Trr (Mín.)
14 ns
Función
Interruptor del lado alto
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
50A
Marcado en la caja
196k Ohms
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
8:1
Pd (disipación de potencia, máx.)
29.8W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
19 ns
Td(encendido)
14 ns
Tecnología
TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Vishay