transistor de canal N SKM100GAR123D, 90A, otro, otro, 600V

Descripción técnica del producto (SKM100GAR123D):

transistor de canal N SKM100GAR123D, 90A, otro, otro, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Vivienda: otro. Vivienda (según ficha técnica): otro. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 5000pF. Corriente del colector: 100A. Costo): 720pF. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: IGBT de alta potencia. Ic (pulso): 150A. Montaje/instalación: -. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Número de terminales: 7. RoHS: sí. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(apagado): 450 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N