transistor de canal N SKM400GB126D, 330A, otro, otro, 1200V

transistor de canal N SKM400GB126D, 330A, otro, otro, 1200V

Cantidad
Precio unitario
1-3
353.81€
4-7
337.70€
8-19
325.73€
20-49
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50+
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Transistor de canal N SKM400GB126D, 330A, otro, otro, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Vivienda: otro. Vivienda (según ficha técnica): otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 23.1pF. Corriente del colector: 470A. Costo): 1.9pF. Dimensiones: 106.4x61.4x30.5mm. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: no. Función: IGBT de alta potencia. Ic (pulso): 600A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 7. RoHS: sí. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Td(apagado): 650 ns. Td(encendido): 330 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.15V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Semikron. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:42

SKM400GB126D
26 parámetros
Ic(T=100°C)
330A
Vivienda
otro
Vivienda (según ficha técnica)
otro
Tensión colector/emisor Vceo
1200V
C(pulg)
23.1pF
Corriente del colector
470A
Costo)
1.9pF
Dimensiones
106.4x61.4x30.5mm
Diodo CE
Diodo de germanio
no
Función
IGBT de alta potencia
Ic (pulso)
600A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
7
RoHS
Spec info
IFSM--2200Ap (t=10ms)
Td(apagado)
650 ns
Td(encendido)
330 ns
Temperatura de funcionamiento
-40...+125°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1.7V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
2.15V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
5V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
6.5V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Producto original del fabricante
Semikron