transistor de canal N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

transistor de canal N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
6.95€
5-9
6.31€
10-24
5.57€
25+
5.26€
Cantidad en inventario: 93

Transistor de canal N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1100pF. Corriente del colector: 40A. Costo): 107pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Diodo de germanio: -. Función: S-IGBT rápido en tecnología NPT. Ic (pulso): 80A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 179W. RoHS: sí. Spec info: K20N60. Td(apagado): 445 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 10:40

Documentación técnica (PDF)
SKW20N60
25 parámetros
Ic(T=100°C)
20A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247 ( AC )
Tensión colector/emisor Vceo
600V
C(pulg)
1100pF
Corriente del colector
40A
Costo)
107pF
Diodo CE
Diodo Trr (Mín.)
300 ns
Función
S-IGBT rápido en tecnología NPT
Ic (pulso)
80A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
179W
RoHS
Spec info
K20N60
Td(apagado)
445 ns
Td(encendido)
36ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2.4V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
3V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
5V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Producto original del fabricante
Infineon Technologies