Transistor de canal N SP0010-91630, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 49A. DI (T=25°C): 77.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.041 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 8180pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 310pF. Diodo Trr (Mín.): 630 ns. Función: Aumento de la robustez del MOSFET dv/dt. IDss (mín.): 5uA. Identificación (diablillo): 267A. Marcado en la caja: 6R041P6. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 481W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 29 ns. Tecnología: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00