transistor de canal N SPA07N60C3, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V

transistor de canal N SPA07N60C3, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.66€
5-24
2.42€
25-49
2.24€
50-99
2.08€
100+
1.77€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 153

Transistor de canal N SPA07N60C3, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 790pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 260pF. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Función: Capacidad de corriente pico alto con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 0.5uA. Identificación (diablillo): 21.9A. Marcado en la caja: 07N60C3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30

Documentación técnica (PDF)
SPA07N60C3
32 parámetros
DI (T=100°C)
4.6A
DI (T=25°C)
7.3A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.54 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220FP
Voltaje Vds(máx.)
650V
C(pulg)
790pF
Cantidad por caja
1
Costo)
260pF
Diodo Trr (Mín.)
400 ns
Función
Capacidad de corriente pico alto con clasificación dv/dt extrema
IDss (mín.)
0.5uA
Identificación (diablillo)
21.9A
Marcado en la caja
07N60C3
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
32W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
60 ns
Td(encendido)
6 ns
Tecnología
Cool MOS™ Power Transistor
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3.9V
Vgs(th) mín.
2.1V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies

Productos y/o accesorios equivalentes para SPA07N60C3