Transistor de canal N SPA07N60C3XKSA1, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V. Vivienda: ITO-220 (PG-TO220FP). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 650V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 790pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 32W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 7.3A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: 07N60C3. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 60 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.9V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38