Transistor de canal N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 560V. C(pulg): 1600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 800pF. Diodo Trr (Mín.): 420 ns. Función: Capacidad excepcional de dv/dt. IDss (mín.): 0.1uA. Identificación (diablillo): 48A. Marcado en la caja: 16N50C3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 34W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30