Transistor de canal N SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.093 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 215pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 75pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: Modo de mejora nominal dv/dt. IDss (mín.): 0.1uA. Identificación (diablillo): 37A. Marcado en la caja: SPD09N05. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 24W. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54