transistor de canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

transistor de canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.11€
5-49
0.91€
50-99
0.77€
100+
0.68€
Cantidad en inventario: 344

Transistor de canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.023 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 790pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 390pF. Diodo Trr (Mín.): 32 ns. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Identificación (diablillo): 112A. Marcado en la caja: 28N03L. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: SIPMOS Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.6V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54

Documentación técnica (PDF)
SPD28N03L
27 parámetros
DI (T=100°C)
28A
DI (T=25°C)
30A
Idss
100uA
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.023 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
790pF
Cantidad por caja
1
Costo)
390pF
Diodo Trr (Mín.)
32 ns
Función
Transistor MOSFET controlado por nivel lógico
Identificación (diablillo)
112A
Marcado en la caja
28N03L
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
75W
Td(apagado)
12 ns
Td(encendido)
13 ns
Tecnología
SIPMOS Power Transistor
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1.6V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies