transistor de canal N SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

transistor de canal N SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.12€
5-24
2.74€
25-49
2.50€
50-99
2.34€
100+
2.08€
Cantidad en inventario: 21

Transistor de canal N SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.78 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 785pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 33pF. Diodo Trr (Mín.): 520 ns. Función: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 18A. Marcado en la caja: 06N80C3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54

Documentación técnica (PDF)
SPP06N80C3
30 parámetros
DI (T=100°C)
3.8A
DI (T=25°C)
6A
Idss (máx.)
50uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.78 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220-3-1
Voltaje Vds(máx.)
800V
C(pulg)
785pF
Cantidad por caja
1
Costo)
33pF
Diodo Trr (Mín.)
520 ns
Función
Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
IDss (mín.)
10uA
Identificación (diablillo)
18A
Marcado en la caja
06N80C3
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
83W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
72 ns
Td(encendido)
25 ns
Tecnología
Cool MOS™ Power Transistor
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2.1V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies