transistor de canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

transistor de canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
5.25€
5-9
4.64€
10-24
3.90€
25+
3.50€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 116

Transistor de canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. Cantidad por caja: 1. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 0.5uA. Identificación (diablillo): 51A. Marcado en la caja: SPP17N80C2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54

Documentación técnica (PDF)
SPP17N80C2
21 parámetros
DI (T=100°C)
11A
DI (T=25°C)
17A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.25 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
800V
Cantidad por caja
1
Función
Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema
IDss (mín.)
0.5uA
Identificación (diablillo)
51A
Marcado en la caja
SPP17N80C2
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
208W
Tecnología
Cool Mos
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Infineon Technologies

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