transistor de canal N SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V
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Transistor de canal N SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): P-TO220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 2400pF. Cantidad por caja: 1. Corriente de drenaje: 20.7A. Costo): 780pF. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 0.1uA. Identificación (diablillo): 62.1A. Marcado en la caja: 20N60C3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. Polaridad: unipolares. Potencia: 208W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 67 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Voltaje de fuente de drenaje: 600V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54