Transistor de canal N SPP80N06S2L-11, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2650pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 158W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 80A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: 2N06L11. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 68 ns. RoHS: no. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:37