Transistor de canal N SPW17N80C3, 800V, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 800V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.29 Ohms. Vivienda: TO-247. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2320pF. Cantidad por caja: 1. Corriente máxima de drenaje: 17A. Costo): 1250pF. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema. IDss (mín.): 0.5uA. Identificación (diablillo): 51A. Marcado en la caja: 17N80C3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. Potencia: 208W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 77 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54