Transistor de canal N SPW20N60C3, TO-247, 650V. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 650V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2400pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 208W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 20.7A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: 20N60C3. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.9V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42