transistor de canal N SPW20N60S5, 600V, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV

Cantidad

Precio unitario

1-1

13.19€

2-4

12.08€

5-9

11.22€

10-19

10.40€

20-29

9.80€

30+

9.55€

Cantidad en inventario: 10

Transistor de canal N SPW20N60S5, 600V, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV. Tensión drenaje-fuente (Vds): 600V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.19 Ohms. Vivienda: PG-TO247 HV. Corriente máxima de drenaje: 20A. Potencia: 208W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 12:31

Documentación técnica (PDF)

SPW20N60S5

8 parámetros

Tensión drenaje-fuente (Vds)

600V

Resistencia en encendido Rds activado

0.19 Ohms

Vivienda

PG-TO247 HV

Corriente máxima de drenaje

20A

Potencia

208W

Tipo de canal

Tipo de transistor

transistor de potencia MOSFET

Producto original del fabricante

Infineon Technologies