Transistor de canal N SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1150pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 130pF. Diodo Trr (Mín.): 415 ns. Función: transistor MOSFET. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 28A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Power-MOSFET (F). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Samsung. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54