Transistor de canal N STB120N4F6, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 3850pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 650pF. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Función: Aplicaciones de conmutación, Automoción. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 320A. Marcado en la caja: 120N4F6. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: STripFET™ VI Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 01/01/2026, 02:49