Transistor de canal N STB12NM50ND, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.29 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 550V. C(pulg): 850pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 48pF. Diodo Trr (Mín.): 122 ns. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 44A. Marcado en la caja: B12NM50ND. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: MOSFET de potencia FDmesh™ II (con diodo rápido). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: FDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54