Transistor de canal N STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.115 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 470pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 70pF. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Función: SWITCHING APPLICATION. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 52A. Marcado en la caja: D10NF10. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: MOSFET de potencia STRipFET™ II de carga de puerta baja. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 01/01/2026, 02:49