Transistor de canal N STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ). Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 790pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 70pF. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 44A. Marcado en la caja: 13NM60N. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 01/01/2026, 02:49