Transistor de canal N STD3NK80Z-1, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50mA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.8 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 800V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 485pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 57pF. Diodo Trr (Mín.): 384 ns. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 10A. Marcado en la caja: D3NK80Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 75. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 01/01/2026, 02:49