transistor de canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

transistor de canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.35€
5-49
1.12€
50-99
1.01€
100+
0.91€
Cantidad en inventario: 1129

Transistor de canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 3A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.3 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 310pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 49pF. Diodo Trr (Mín.): 260 ns. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 12A. Marcado en la caja: D4NK50Z. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54

Documentación técnica (PDF)
STD4NK50ZT4
26 parámetros
DI (T=100°C)
1.9A
DI (T=25°C)
3A
Idss
1uA
Idss (máx.)
3A
Resistencia en encendido Rds activado
2.3 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( D-PAK )
Voltaje Vds(máx.)
500V
C(pulg)
310pF
Cantidad por caja
1
Costo)
49pF
Diodo Trr (Mín.)
260 ns
Función
HIGH Current, HIGH Speed Switching
Identificación (diablillo)
12A
Marcado en la caja
D4NK50Z
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Pd (disipación de potencia, máx.)
45W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
21 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics