Transistor de canal N STD5N52K3, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. DI (T=100°C): 2.77A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252-3. Voltaje Vds(máx.): 525V. C(pulg): 545pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 45pF. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Función: Aplicaciones de conmutación, carga de puerta minimizada, IDSS bajo. IDss (mín.): 5uA. Identificación (diablillo): 17.6A. Marcado en la caja: 5N52K3. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de canales: 1. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Spec info: Enhancement type. Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 01/01/2026, 02:49