transistor de canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

transistor de canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
53.14€
5-9
49.56€
10-19
47.57€
20-39
45.63€
40+
41.52€
Cantidad en inventario: 14

Transistor de canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 53A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). Voltaje Vds(máx.): 500V. Aislamiento eléctrico: 2500V (AC-RMS). Cantidad por caja: 1. Función: SMPS POWER MOSFET. Identificación (diablillo): 212A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 460W. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(encendido): 46 ns. Tecnología: PowerMesh II MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: ±30V. Tf (tipo): 38 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Tr: 70 ns. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54

Documentación técnica (PDF)
STE53NC50
23 parámetros
DI (T=100°C)
33A
DI (T=25°C)
53A
Idss (máx.)
53A
Resistencia en encendido Rds activado
0.07 Ohms
Vivienda
ISOTOP ( SOT227B )
Vivienda (según ficha técnica)
ISOTOP ( SOT227B )
Voltaje Vds(máx.)
500V
Aislamiento eléctrico
2500V (AC-RMS)
Cantidad por caja
1
Función
SMPS POWER MOSFET
Identificación (diablillo)
212A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
460W
Protección de la fuente de drenaje
Td(encendido)
46 ns
Tecnología
PowerMesh II MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-65...150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
±30V
Tf (tipo)
38 ns
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Tr
70 ns
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics