transistor de canal N STF5NK100Z-ZENER, TO-220FP, 1 kV

transistor de canal N STF5NK100Z-ZENER, TO-220FP, 1 kV

Cantidad
Precio unitario
1-24
7.14€
25+
4.76€
Cantidad en inventario: 782

Transistor de canal N STF5NK100Z-ZENER, TO-220FP, 1 kV. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 1 kV. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1154pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 3.5A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: F5NK100Z. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 52 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:25

Documentación técnica (PDF)
STF5NK100Z-ZENER
16 parámetros
Vivienda
TO-220FP
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
1 kV
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
1154pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
125W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
3.7 Ohms @ 1.75A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
3.5A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
F5NK100Z
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
52 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4.5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
23 ns
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics