Transistor de canal N STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.63 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 452pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 30pF. Diodo Trr (Mín.): 324 ns. Función: Capacitancia de entrada baja y carga de puerta. IDss (mín.): 1mA. Identificación (diablillo): 26A. Marcado en la caja: 9NM60N. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 26A. Td(apagado): 52.5 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54