Transistor de canal N STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: ISOWATT218FX. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1350pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 175pF. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. Función: transistor MOSFET de potencia rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 32A. Marcado en la caja: H8NA60FI. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: Viso 4000V. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Modo de mejora. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.75V. Vgs(th) mín.: 2.25V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54