transistor de canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

transistor de canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.83€
5-24
0.69€
25-49
0.60€
50-99
0.54€
100+
0.46€
Cantidad en inventario: 141

Transistor de canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. DI (T=100°C): 630mA. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 150pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 30pF. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 4A. Marcado en la caja: 4NF20L. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 3.3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 10.4 ns. Td(encendido): 2 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24

Documentación técnica (PDF)
STN4NF20L
25 parámetros
DI (T=100°C)
630mA
DI (T=25°C)
1A
Idss (máx.)
50uA
Resistencia en encendido Rds activado
1.1 Ohms
Vivienda
SOT-223 ( TO-226 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-223
Voltaje Vds(máx.)
200V
C(pulg)
150pF
Cantidad por caja
1
Costo)
30pF
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
4A
Marcado en la caja
4NF20L
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Pd (disipación de potencia, máx.)
3.3W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
10.4 ns
Td(encendido)
2 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics