Transistor de canal N STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 80V. C(pulg): 5955pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 244pF. Diodo Trr (Mín.): 38 ns. Función: conmutación de circuitos. IDss (mín.): -. Identificación (diablillo): 400A. Marcado en la caja: 100N8F6. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 176W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 103 ns. Td(encendido): 33 ns. Tecnología: STripFET™ F6 technology. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24