Transistor de canal N STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 1370pF. Cantidad por caja: 1. Corriente de drenaje: 5.7A. Costo): 156pF. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Función: Zener-Protected. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 36A. Marcado en la caja: P10NK60Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. Polaridad: unipolares. Potencia: 115W. Propiedades del semiconductor: Protegido contra ESD. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Voltaje de fuente de drenaje: 600V. Voltaje de fuente de puerta: ±30V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24