Transistor de canal N STP11NM80, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1630pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 750pF. Diodo Trr (Mín.): 612 ns. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 44A. Marcado en la caja: P11NM80. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: MDmesh MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24