Transistor de canal N STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 77A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 5200pF. Cantidad por caja: 1. Corriente máxima de drenaje: 110A. Costo): 785pF. Diodo Trr (Mín.): 152 ns. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 440A. Marcado en la caja: P120NF10. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 312W. Potencia: 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 132 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24