Transistor de canal N STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 550V. C(pulg): 1000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 250pF. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 48A. Marcado en la caja: P12NM50. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24