Transistor de canal N STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 790pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 60pF. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Función: Capacitancia de entrada baja y carga de puerta. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 44A. Marcado en la caja: 13NM60N. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: ID pulse 44A. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24