transistor de canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

transistor de canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.15€
5-24
0.95€
25-49
0.80€
50+
0.73€
Producto obsoleto, próximamente será eliminado del catálogo.
En ruptura de stock

Transistor de canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 120V. C(pulg): 460pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 70pF. Función: Baja carga de entrada. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 56A. Marcado en la caja: P14NF12. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24

Documentación técnica (PDF)
STP14NF12
27 parámetros
DI (T=100°C)
9A
DI (T=25°C)
14A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.16 Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
120V
C(pulg)
460pF
Cantidad por caja
1
Costo)
70pF
Función
Baja carga de entrada
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
56A
Marcado en la caja
P14NF12
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
60W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Td(apagado)
32 ns
Td(encendido)
16 ns
Tecnología
STripFET II POWER MOSFET
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics